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NV25010MUW3VTBG集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NV25010MUW3VTBG |
| 参数属性 | NV25010MUW3VTBG 封装/外壳为8-UFDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8UDFN |
| 功能描述 | EEPROM Serial 1/2/4-Kb SPI |
| 文件大小 |
191.73 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-22 14:20:00 |
NV25010MUW3VTBG规格书详情
NV25010MUW3VTBG属于集成电路（IC） > 存储器。安森美半导体公司制造生产的NV25010MUW3VTBG存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
更多- 产品编号：
NV25010MUW3VTBG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
EEPROM
- 技术：
EEPROM
- 存储容量：
1Kb（128 x 8）
- 存储器接口：
SPI
- 写周期时间 - 字，页：
5ms
- 电压 - 供电：
1.8V ~ 5.5V
- 工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-UFDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
8-UDFN（2x3）
- 描述：
IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8UDFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
21+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
询价 | ||||
ON |
24+ |
UDFN-8 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
onsemi |
21+ |
NA |
11200 |
正品专卖,进口原装深圳现货 |
询价 | ||
onsemi |
23+/24+ |
8-UFDFN |
8600 |
只供原装进口公司现货+可订货 |
询价 | ||
onsemi |
2023+ |
8SOIC |
5823 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
UDFN-8 |
38550 |
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onsemi(安森美) |
23+ |
TSSOP8 |
7350 |
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onsemi(安森美) |
23+ |
TSSOP8 |
6000 |
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