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NV25010DWHFT3G集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

NV25010DWHFT3G
厂商型号

NV25010DWHFT3G

参数属性

NV25010DWHFT3G 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8SOIC

功能描述

EEPROM Serial 1/2/4-Kb SPI
IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8SOIC

文件大小

271.81 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-20 18:30:00

NV25010DWHFT3G规格书详情

NV25010DWHFT3G属于集成电路(IC) > 存储器。安森美半导体公司制造生产的NV25010DWHFT3G存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

  • 产品编号:

    NV25010DWHFT3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    EEPROM

  • 存储容量:

    1Kb(128 x 8)

  • 存储器接口:

    SPI

  • 写周期时间 - 字,页:

    4ms

  • 电压 - 供电:

    2.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8SOIC

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