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NV24C512MUW3VTBG集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

NV24C512MUW3VTBG
厂商型号

NV24C512MUW3VTBG

参数属性

NV24C512MUW3VTBG 封装/外壳为8-UFDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8UDFN

功能描述

EEPROM
IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8UDFN

丝印标识

C9W

封装外壳

UDFN-8 / 8-UFDFN 裸露焊盘

文件大小

201.06 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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NV24C512MUW3VTBG规格书详情

NV24C512MUW3VTBG属于集成电路(IC)的存储器。由安森美半导体公司制造生产的NV24C512MUW3VTBG存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NV24C512MUW3VTBG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    EEPROM

  • 技术:

    EEPROM

  • 存储容量:

    512Kb(64K x 8)

  • 存储器接口:

    I²C

  • 写周期时间 - 字,页:

    5ms

  • 电压 - 供电:

    2.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-UFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-UDFN(2x3)

  • 描述:

    IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8UDFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
DFN8(2x3)
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
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ON(安森美)
24+
NA/
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UDFN-8
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ON全系列可订货
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ON(安森美)
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公司只做原装正品,假一赔十
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1983
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SOIC-8
9000
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9000
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ON
24+
SOIC-8
8000
原装,正品
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