Main Switch Power MOSFET and Dual Charging BJT

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安森美半导体

Power MOSFET 12V 6.2A 110 mOhm Dual P-Channel DFN8 with PNP Low VCE Transistors

This P-Channel Power MOSFET integrates one high performance power MOSFET and two Low Vce(sat) transistors, greatly reducing the layout space and optimizing charging performance in battery-powered portable electronics. • High Performance Power MOSFET + Dual Low Vce(sat) Transistors as Charging Power Mux\n• Independent Pin-out Provides Circuit Flexibility\n• This is a Pb-Free Device;

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Low Profile Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET

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Low Profile Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET

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Package：8-VDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR） 类别：电路保护 TVS - 混合技术 描述：IC OVP W/30V P-CH MOSFET DFN8

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Package：8-VDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 电源管理 - 专用 描述：IC OVP W/MOSFET 8-DFN

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Package：8-UFLGA 裸焊盘；包装：卷带（TR） 类别：电路保护 TVS - 混合技术 描述：IC OVP LOW PRO W/MOSFET 8-TLLGA

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