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NUS5530MNR2G	文件：162.7 Kbytes Page：9 Pages	Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor IntegratedPowerMOSFETwithPNPLowVCE(sat)SwitchingTransistor Thisintegrateddevicerepresentsanewlevelofsafetyandboard−spacereductionbycombiningthe20VP−ChannelFETwithaPNPSiliconLowVCE(sat)switchingtransistor.Thisnewlyintegratedproductprovideshigherefficiencya	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NUS5530MNR2G

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Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor

IntegratedPowerMOSFETwithPNPLowVCE(sat)SwitchingTransistor Thisintegrateddevicerepresentsanewlevelofsafetyandboard−spacereductionbycombiningthe20VP−ChannelFETwithaPNPSiliconLowVCE(sat)switchingtransistor.Thisnewlyintegratedproductprovideshigherefficiencya

ONSEMION Semiconductor

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NUS5530MNR2G

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产品属性

产品编号：
NUS5530MNR2G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 特殊用途
包装：
管件
晶体管类型：
NPN，P 通道
应用：
通用
电压 - 额定：
35V PNP，20V P 通道
额定电流（安培）：
2A PNP，3.9A P 通道
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
8-DFN（3.3x3.3）
描述：
IC MOSFET W/PNP SW TRANS 8-DFN

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