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NUS5530MNR2G

Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor

Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor This integrated device represents a new level of safety and board−space reduction by combining the 20 V P−Channel FET with a PNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integrated product provides higher efficiency a

文件:162.7 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NUS5530MNR2G

Package:8-VDFN 裸露焊盘;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 特殊用途 描述:IC MOSFET W/PNP SW TRANS 8-DFN

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    NUS5530MNR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 特殊用途

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN,P 通道

  • 应用:

    通用

  • 电压 - 额定:

    35V PNP,20V P 通道

  • 额定电流(安培):

    2A PNP,3.9A P 通道

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-VDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-DFN(3.3x3.3)

  • 描述:

    IC MOSFET W/PNP SW TRANS 8-DFN

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更多NUS5530MNR2G供应商 更新时间2025-12-1 14:01:00