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|---|---|---|---|---|
NTZD5110N | 60 V, 310 mA, Dual N?묬hannel with ESD Protection, SOT??63 文件：110.29 Kbytes 页数：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
NTZD5110N | Small Signal MOSFET 文件：68.92 Kbytes 页数：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
60 V, 310 mA, Dual N?묬hannel with ESD Protection, SOT??63 文件：110.29 Kbytes 页数：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
60 V, 310 mA, Dual N?묬hannel with ESD Protection, SOT??63 文件：110.29 Kbytes 页数：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Small Signal MOSFET 文件：68.92 Kbytes 页数：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Small Signal MOSFET 文件：68.92 Kbytes 页数：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
NTZD5110N | 双 N 沟道，小信号 MOSFET，带 ESD 保护，60V，310mA，1.6Ω This is a 60 V N-Channel Power MOSFET. • Low RDS(on) Improving System Efficiency\n• Low Threshold Voltage\n• ESD Protected Gate\n• Small Footprint 1.6 x 1.6 mm; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
技术参数
- Pb-free：
Pb
- Halide free：
H
- Status：
Active
- Channel Polarity：
N-Channel
- Configuration：
Dual
- V(BR)DSS Min (V)：
60
- VGS Max (V)：
20
- VGS(th) Max (V)：
2.5
- ID Max (A)：
0.3
- PD Max (W)：
0.25
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=2500
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
Q1=Q2=1600
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.7
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
0.7
- Ciss Typ (pF)：
24.5
- Package Type：
SOT-563
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2021+ |
SOT-563 |
18000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT-563 |
18000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON |
2023+ |
SOT-563 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT-563 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON/ |
24+ |
SOT-563 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON/ |
24+ |
SOT-563 |
5000 |
只有原装 |
询价 | ||
ONSemi |
24+ |
SOT-563 |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
询价 | ||
ON/ |
26+ |
SOT-563 |
12000 |
原装，正品 |
询价 | ||
ON |
24+/25+ |
115 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
MAXIM |
23+ |
SOT-563 |
60000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 |
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