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NTZD5110N中文资料双 N 沟道,小信号 MOSFET,带 ESD 保护,60V,310mA,1.6Ω数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTZD5110N

功能描述

双 N 沟道,小信号 MOSFET,带 ESD 保护,60V,310mA,1.6Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:58:00

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NTZD5110N规格书详情

描述 Description

This is a 60 V N-Channel Power MOSFET.

特性 Features

• Low RDS(on) Improving System Efficiency
• Low Threshold Voltage
• ESD Protected Gate
• Small Footprint 1.6 x 1.6 mm

应用 Application

• Load/Power Switches
• Driver Circuits
• Battery Management/Battery Operated Systems
• Relays, Lamps, Displays, Memories, etc.
• Cell Phones, Digital Cameras, PDAs, Pagers, etc.

技术参数

  • 制造商编号

    :NTZD5110N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :0.3

  • PD Max (W)

    :0.25

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=2500

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=1600

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :0.7

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :0.7

  • Ciss Typ (pF)

    :24.5

  • Package Type

    :SOT-563

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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