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NTR4501数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

NTR4501

参数属性

NTR4501 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23

功能描述

单 N 沟道,功率 MOSFET,20V,3.2A,80mΩ
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 11:45:00

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NTR4501规格书详情

描述 Description

This is a 20 V N-Channel Power MOSFET.

特性 Features

• Leading Planar Technolgy for Low Gate Charge / Fast Switching
• 2.5 V rated for Low Voltage Gate Drive
• SOT-23 Surface Mount For Small Footprint (3 mm x 3 mm)
• RoHS Compliant

应用 Application

• Load/Power Switch for Portables
• Load/Power Switch for Computing
• DC to DC Conversion

简介

NTR4501属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的NTR4501晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NTR4501

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.2

  • ID Max (A)

    :3.2

  • PD Max (W)

    :1.25

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :105

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :80

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :1.9

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :2.4

  • Ciss Typ (pF)

    :200

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
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