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NTR2101P数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NTR2101P

功能描述

单 P 沟道小信号 MOSFET -8V,-3.7A,52mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 19:49:00

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NTR2101P规格书详情

描述 Description

This is an 8.0 V P-Channel Power MOSFET.

特性 Features

• Leading Trench Technology for Low RDS(on)
• -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive
• SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3x3mm)

应用 Application

• High Side Load Switch
• DC-DC Conversion
• Cell Phone, Notebook, PDAs, ect.

技术参数

  • 制造商编号

    :NTR2101P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-8

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :1

  • ID Max (A)

    :3.7

  • PD Max (W)

    :0.96

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :52

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :39

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :7.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :12

  • Ciss Typ (pF)

    :1173

  • Package Type

    :SOT-23-3

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