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NTR4170N中文资料单 N 沟道功率 MOSFET 30V,3.1A,55mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTR4170N

功能描述

单 N 沟道功率 MOSFET 30V,3.1A,55mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 15:52:00

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NTR4170N规格书详情

描述 Description

This is a 30 V N-Channel Power MOSFET.

特性 Features

• Low rDS(on) to Minimize Conduction Loss
• Low Gate Charge
• Low Threshold Levels

应用 Application

• Power Converters for Portables
• Battery Management
• Load/Power Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :NTR4170N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.4

  • ID Max (A)

    :3.2

  • PD Max (W)

    :1.25

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :110

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :70

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :55

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :2.4

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :4.76

  • Ciss Typ (pF)

    :432

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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