NTR4170N中文资料单 N 沟道功率 MOSFET 30V，3.1A，55mΩ数据手册ONSEMI规格书
NTR4170N规格书详情
描述 Description
This is a 30 V N-Channel Power MOSFET.
特性 Features
• Low rDS(on) to Minimize Conduction Loss
• Low Gate Charge
• Low Threshold Levels
应用 Application
• Power Converters for Portables
• Battery Management
• Load/Power Switch
技术参数
- 制造商编号
：NTR4170N
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：1.4
- ID Max (A)
：3.2
- PD Max (W)
：1.25
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：110
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：70
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：55
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：2.4
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：4.76
- Ciss Typ (pF)
：432
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-23 |
17800 |
原装正品 |
询价 | ||
ON |
25+ |
SOT23 |
36000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SMD |
12000 |
原厂/代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
15805 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT-23 |
18320 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
SOT23-3 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2023+ |
SOT23-3 |
6895 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2010+ |
N/A |
48730 |
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询价 |
