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NTR4003N中文资料单 N 沟道小信号 MOSFET,30V,560mA,1.5Ω数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTR4003N

功能描述

单 N 沟道小信号 MOSFET,30V,560mA,1.5Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 12:24:00

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NTR4003N规格书详情

描述 Description

This is a 30 V N-Channel Power MOSFET.

特性 Features

• Low Gate Voltage Threshold (VGS(TH)) to Facilitate Drive Circuit Design
• Low Gate Charge for Fast Switching
• ESD Protected Gate
• SOT-23 Package Provides Excellent Thermal Performance
• Minimum Breakdown Voltage Rating of 30 V
• RoHS Compliant

应用 Application

• Logic Switches
• Level Shifters
• Low Side Load Switches
• Portable Applications
• Notebooks

技术参数

  • 制造商编号

    :NTR4003N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :1.4

  • ID Max (A)

    :0.56

  • PD Max (W)

    :15

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :2000

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1500

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :4.76

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :1.15

  • Ciss Typ (pF)

    :21

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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