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NTR4003N	文件：67.39 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single N?묬hannel, SOT??3 Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single N−Channel, SOT−23 Features • Low Gate Voltage Threshold (VGS(TH)) to Facilitate Drive Circuit Design • Low Gate Charge for Fast Switching • ESD Protected Gate • SOT−23 Package Provides Excellent Thermal Performance • Minimum Breakdown Voltage Ratin 文件：67.39 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR4003N	文件：105.87 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single N?묬hannel, SOT??3 Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single N−Channel, SOT−23 Features • Low Gate Voltage Threshold (VGS(TH)) to Facilitate Drive Circuit Design • Low Gate Charge for Fast Switching • ESD Protected Gate • SOT−23 Package Provides Excellent Thermal Performance • Minimum Breakdown Voltage Ratin 文件：105.87 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR4003N	文件：90.54 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 文件：90.54 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR4003NT1G	文件：105.87 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single N?묬hannel, SOT??3 Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single N−Channel, SOT−23 Features • Low Gate Voltage Threshold (VGS(TH)) to Facilitate Drive Circuit Design • Low Gate Charge for Fast Switching • ESD Protected Gate • SOT−23 Package Provides Excellent Thermal Performance • Minimum Breakdown Voltage Ratin 文件：105.87 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR4003NT1G	文件：67.39 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single N?묬hannel, SOT??3 Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single N−Channel, SOT−23 Features • Low Gate Voltage Threshold (VGS(TH)) to Facilitate Drive Circuit Design • Low Gate Charge for Fast Switching • ESD Protected Gate • SOT−23 Package Provides Excellent Thermal Performance • Minimum Breakdown Voltage Ratin 文件：67.39 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR4003NT1G	文件：486.88 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：486.88 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTR4003NT1G	文件：1.62924 Mbytes Page：5 Pages	30V N-Channel MOSFET Product Summary * On-State Resistance: Ros(on)=1.50 @VGs =4.5V * Driving Voltage: 2.5Vq * Environmentally Friendly: EU RoHS Compliant, Pb Free 文件：1.62924 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
NTR4003NT3G	文件：67.39 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single N?묬hannel, SOT??3 Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single N−Channel, SOT−23 Features • Low Gate Voltage Threshold (VGS(TH)) to Facilitate Drive Circuit Design • Low Gate Charge for Fast Switching • ESD Protected Gate • SOT−23 Package Provides Excellent Thermal Performance • Minimum Breakdown Voltage Ratin 文件：67.39 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR4003NT3G	文件：105.87 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single N?묬hannel, SOT??3 Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single N−Channel, SOT−23 Features • Low Gate Voltage Threshold (VGS(TH)) to Facilitate Drive Circuit Design • Low Gate Charge for Fast Switching • ESD Protected Gate • SOT−23 Package Provides Excellent Thermal Performance • Minimum Breakdown Voltage Ratin 文件：105.87 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR4003N_15	文件：90.54 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 文件：90.54 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
1.4
ID Max (A)：
0.56
PD Max (W)：
15
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
2000
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1500
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
4.76
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1.15
Ciss Typ (pF)：
21
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市讯顺达科技有限公司	NTR4003N	Slkor/萨科微	24+	SOT-23	50000	Slkor/萨科微一级代理,价格优势	询价
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