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NTR4170N	文件：106.43 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 30 V, 3.2 A, Single N?묬hannel, SOT??3 文件：106.43 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR4170N	文件：133.74 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：133.74 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR4170NT3G	文件：488.09 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：488.09 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTR4170N_16	文件：133.74 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：133.74 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR4170NT	文件：151.6 Kbytes Page：4 Pages	丝印：A0*；Package：SOT-23；N-Channel MOSFET 文件：151.6 Kbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
NTR4170NT1G	文件：1.02575 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.02575 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTR4170NT1G	文件：133.74 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：133.74 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR4170NT1G	文件：106.43 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 30 V, 3.2 A, Single N?묬hannel, SOT??3 文件：106.43 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR4170NT3G	文件：106.43 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 30 V, 3.2 A, Single N?묬hannel, SOT??3 文件：106.43 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR4170NT3G	文件：133.74 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：133.74 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
12
VGS(th) Max (V)：
1.4
ID Max (A)：
3.2
PD Max (W)：
1.25
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
110
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
70
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
55
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
2.4
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
4.76
Ciss Typ (pF)：
432
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NTR4170N供应商更新时间2025-10-12 15:30:00

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