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NTR4170N

单 N 沟道功率 MOSFET 30V,3.1A,55mΩ

This is a 30 V N-Channel Power MOSFET. • Low rDS(on) to Minimize Conduction Loss\n• Low Gate Charge\n• Low Threshold Levels;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    12

  • VGS(th) Max (V):

    1.4

  • ID Max (A):

    3.2

  • PD Max (W):

    1.25

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    110

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    70

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    55

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    2.4

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    4.76

  • Ciss Typ (pF):

    432

  • Package Type:

    SOT-23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
24+
SOT23
3000
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更多NTR4170N供应商 更新时间2025-10-13 13:30:00