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NTR4170NT3G	文件：488.09 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：488.09 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTR4170NT3G	文件：106.43 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 30 V, 3.2 A, Single N?묬hannel, SOT??3 文件：106.43 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR4170NT3G	文件：133.74 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：133.74 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR4171PT1G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	ON/安森美上传：深圳市琅玥科技有限公司	ON/安森美
NTR4501NT1G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	ON/安森美上传：深圳市琅玥科技有限公司	ON/安森美

详细参数

型号：
NTR4170NT3G
功能描述：
MOSFET NFET SOT23 30V 4A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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