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NTS2101PT1G	文件：1.89706 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.89706 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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NTHS2101PT1	文件：54.72 Kbytes Page：6 Pages	??.0 V, ??.5 A P?묬hannel ChipFET 文件：54.72 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NTR2101PT1	文件：143.1 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 文件：143.1 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NTS2101PT1
功能描述：
MOSFET -8V -1.4A P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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