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SUP60N06

N-Channel60-V(D-S),175CMOSFET

N-Channel60-V(D-S),175°CMOSFET 175°CRatedMaximumJunctionTemperature TrenchFET®PowerMOSFETs ProductSummary   V(BR)DSS  60V   rDS(on)   0.018Ω   ID        60A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SW60N06T

N-channelTO-220MOSFET

SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.

芯派科技芯派科技股份有限公司

TSM60N06

60VN-ChannelPowerMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSM60N06

60VN-ChannelPowerMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSM60N06CP

60VN-ChannelPowerMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSM60N06CP

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

TSM60N06CPROG

60VN-ChannelPowerMOSFET

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

UTT60N06

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

WSF60N06

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

WSF60N06

N-ChMOSFET

WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd

微硕半导体微硕半导体(深圳)有限公司

详细参数

  • 型号:

    NTP60N06L

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 60A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTP60N06L供应商 更新时间2025-7-15 16:30:00