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WSF60N06	文件：610.05 Kbytes Page：5 Pages	N-Ch MOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半导体微硕半导体（深圳）有限公司	WIINSOK
WSF60N06	文件：2.2349 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
WSF60N06A	文件：2.38399 Mbytes Page：5 Pages	N-Ch MOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半导体微硕半导体（深圳）有限公司	WIINSOK
60N06	文件：316.43 Kbytes Page：8 Pages	60A,60VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
60N06	文件：201.28 Kbytes Page：8 Pages	60Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC60N06isN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorswithstableoff-statecharacteristics,fastswitchingspeed,lowthermalresistance,usuallyusedattelecomandcomputerapplication. FEATURES RDS(ON)≤18mΩ@VGS=10V,ID=30A Ultralowgatecharge(ty	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
60N06	文件：284.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
60N06	文件：983.43 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
60N06	文件：658.29 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description The60N06usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
60N06A	文件：922.46 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description The60N06Ausesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
60N06FI	文件：949.64 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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