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NTB18N06	文件：90.57 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET15A,60V,N?묬hannelTO??20&D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTB18N06L	文件：306.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTB18N06L	文件：92.15 Kbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel(N?묬hannelTO??20andDPAK) PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel N−ChannelTO−220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable TypicalApplications •PowerSupplies •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB18N06L	文件：91.32 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel N−ChannelTO−220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable TypicalApplications •PowerSupplies •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB18N06LG	文件：91.32 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel N−ChannelTO−220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable TypicalApplications •PowerSupplies •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD18N06	文件：157.38 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET18Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
NTP18N06L
功能描述：
MOSFET 60V 15A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NTP18N06L供应商更新时间2025-5-5 10:01:00

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