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NTD18N06L	文件：334.95 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=65mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD18N06L	文件：92.06 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET MOSFET–Power,N-Channel,LogicLevel,DPAK18A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •AECQ101Qualified−NTDV18N06L •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD18N06L	文件：169.03 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET18A,60V,LogicLevelN.ChannelDPAK MOSFET–Power,N-Channel,LogicLevel,DPAK18A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •AECQ101Qualified−NTDV18N06L •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD18N06L	文件：79.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD18N06LG	文件：79.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD18N06LG	文件：897.07 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTDV18N06L	文件：299.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=65mΩ(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTDV18N06L	文件：169.03 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET18A,60V,LogicLevelN.ChannelDPAK MOSFET–Power,N-Channel,LogicLevel,DPAK18A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •AECQ101Qualified−NTDV18N06L •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP18N06	文件：90.57 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET15A,60V,N?묬hannelTO??20&D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP18N06G	文件：1.09044 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
NTP18N06L
功能描述：
MOSFET 60V 15A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	NTP18N06L	ON/安森美	17+	TO-2203LEADSTANDARD	31518	原装正品可含税交易	询价
深圳市一线半导体有限公司	NTP18N06L	ON	24+	TO-2203LEADSTANDA	8866		询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	NTP18N06L	VBSEMI/台湾微碧	23+	TO220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多NTP18N06L供应商更新时间2025-5-15 10:00:00

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