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NTNS3A65PZ	文件：123.94 Kbytes Page：6 Pages	??0 V, ??81 mA, Single P?묬hannel, SOT??83 (XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm Package 文件：123.94 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTNS3A65PZT5G	文件：123.94 Kbytes Page：6 Pages	??0 V, ??81 mA, Single P?묬hannel, SOT??83 (XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm Package 文件：123.94 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTNS3A65PZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 P 沟道小信号 MOSFET，-20V，-281mA，1.3Ω Small Signal MOSFET\n−20 V, −281 mA, Single P−Channel,\nSOT−883 (XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm Package • Ultra Low Profile SOT883 (XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm\n• Ideal for Space-Constraint Environments\n• Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mm Package\n• Minimize Conduction Losses and improve efficiency\n• 1.5 V Gate Drive\n• Operates at low logic level voltage\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TK3A65D	文件：243.64 Kbytes Page：9 Pages	Switching Voltage Regulators 文件：243.64 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK3A65D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TK3A65D	文件：243.64 Kbytes Page：9 Pages	Switching Voltage Regulators 文件：243.64 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
-1
ID Max (A)：
-0.281
PD Max (W)：
0.16
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
2000
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
1300
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.8
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1.1
Ciss Typ (pF)：
44
Package Type：
SOT-883

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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