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NTNS3A65PZ中文资料单 P 沟道小信号 MOSFET,-20V,-281mA,1.3Ω数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTNS3A65PZ

功能描述

单 P 沟道小信号 MOSFET,-20V,-281mA,1.3Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 11:30:00

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NTNS3A65PZ规格书详情

描述 Description

Small Signal MOSFET
−20 V, −281 mA, Single P−Channel,
SOT−883 (XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm Package

特性 Features

• Ultra Low Profile SOT883 (XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm
• Ideal for Space-Constraint Environments
• Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 0.6 mm Package
• Minimize Conduction Losses and improve efficiency
• 1.5 V Gate Drive
• Operates at low logic level voltage
• RoHS Compliant

应用 Application

• High Side Switch
• High Speed Interfacing
• Optimized for Power Management in Ultra Portable Solutions
• Smart Phones, Media Tablets, DSCs, Portable Game Players, Others

技术参数

  • 制造商编号

    :NTNS3A65PZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1

  • ID Max (A)

    :-0.281

  • PD Max (W)

    :0.16

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :2000

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :1300

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :1.8

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :1.1

  • Ciss Typ (pF)

    :44

  • Package Type

    :SOT-883

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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SOT-883
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