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NTMYS3D3N06CL中文资料功率 MOSFET,单 N 沟道,60 V,3.0 mΩ,133 A数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTMYS3D3N06CL

功能描述

功率 MOSFET,单 N 沟道,60 V,3.0 mΩ,133 A

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 11:10:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :NTMYS3D3N06CL

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :2

  • ID Max (A)

    :133

  • PD Max (W)

    :100

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :4.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :18.4

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :40.7

  • Ciss Typ (pF)

    :2880

  • Package Type

    :LFPAK-4

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