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NTMYS3D3N06CL	文件：322.39 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 60 V, 3.0 m, 133 A, Single N?묬hannel 文件：322.39 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMYS3D3N06CLTWG	文件：322.39 Kbytes Page：7 Pages	丝印：3D3N06CL；Package：LFPAK4；Power MOSFET 60 V, 3.0 m, 133 A, Single N?묬hannel 文件：322.39 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMYS3D3N06CL	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，单 N 沟道，60 V，3.0 mΩ，133 A	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMYS3D3N06CLTWG	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 60V 100A	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
133
PD Max (W)：
100
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
4.2
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
3
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
18.4
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
40.7
Ciss Typ (pF)：
2880
Package Type：
LFPAK-4

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