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NTMS3P03R2G	文件：1.50867 Mbytes Page：5 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=-30V,ID=-5.1A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
NTMS3P03R2G	文件：148.34 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD3P03R2	文件：116.48 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFETDualP-ChannelSOIC-8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD3P03R2	文件：147.05 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET-3.05Amps,-30Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD3P03R2	文件：66.64 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET-3.05Amps,-30Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD3P03R2G	文件：1.33481 Mbytes Page：5 Pages	DualP-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
NTMD3P03R2G	文件：116.48 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFETDualP-ChannelSOIC-8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD3P03R2G	文件：1.05873 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
NTMS3P03R2G
功能描述：
MOSFET 30V 3.05A P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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