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NTMFS4935N	文件：145.04 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 93 AAugust, 2009 ??Rev. 4, Single N?묬hannel, SO?? FL MOSFET – Power, Single, N-Channel, SO-8 FL 30 V, 93 A Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Applications 文件：145.04 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4935N	文件：119.55 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：119.55 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4935NT1G	文件：145.04 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 93 AAugust, 2009 ??Rev. 4, Single N?묬hannel, SO?? FL MOSFET – Power, Single, N-Channel, SO-8 FL 30 V, 93 A Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Applications 文件：145.04 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4935NT3G	文件：145.04 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 93 AAugust, 2009 ??Rev. 4, Single N?묬hannel, SO?? FL MOSFET – Power, Single, N-Channel, SO-8 FL 30 V, 93 A Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Applications 文件：145.04 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4935N_12	文件：119.55 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：119.55 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4935NCT1G	文件：119.55 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：119.55 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4935NCT3G	文件：119.55 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：119.55 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4935NT1G	文件：119.55 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：119.55 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4935NT3G	文件：119.55 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：119.55 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS4935N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，93A，3.2mΩ This is a 30 V N-Channel Power MOSFET. • Low rDS(on) to Minimize Conduction Loss\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.2
ID Max (A)：
93
PD Max (W)：
107
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
4.2
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
3.2
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
15.9
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
49.4
Ciss Typ (pF)：
3579
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市正纳电子有限公司	NTMFS4935N	ON	1321ROHS全新	原厂原封优势	21868	原装现货在线咨询样品※技术支持专业电子元器件授权	询价
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