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NTMFS4935NT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTMFS4935NT1G

功能描述

Power MOSFET 30 V, 93 AAugust, 2009 ??Rev. 4, Single N?묬hannel, SO?? FL

文件大小

145.04 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-14 13:30:00

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NTMFS4935NT1G规格书详情

MOSFET – Power, Single, N-Channel, SO-8 FL 30 V, 93 A

特性 Features

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low Capacitance to Minimize Driver Losses

• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Applications

• CPU Power Delivery, DC−DC Converters

产品属性

  • 型号:

    NTMFS4935NT1G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET SO8FL 30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
24+
DFN5(SO-8FL)5x61
8866
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ON/安森美
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