选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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ON原厂原封优势 |
21868 |
1321ROHS全新 |
原装现货在线咨询样品※技术支持专业电子元器件授权 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOP |
800000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美QFN8 |
10048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美QFN8 |
14316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)SO-8-FL-5 |
11318 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
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ON/安森美DFN |
35000 |
22+ |
我司100%原装正品现货,现货众多欢迎加微信 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美QFN8 |
24795 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SO-8FL |
10053 |
2105+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ONQR |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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ONSOP-8 |
865000 |
23+ |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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ONQFN-48 |
6800 |
22+ |
全新原装公司现货假一罚十 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
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ON/安森美QFN8 |
98900 |
22+ |
只做原装,支持实单,来电咨询。 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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ON(安森美)SO-8FL |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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ON(安森美)标准封装 |
8000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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ONDFN56-6-EP |
50000 |
21+ |
原装正品现货,支持BOM配单! |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ON21+ |
50000 |
DFN56-6-EP |
原装正品现货,支持BOM配单! |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA |
8000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA/ |
53250 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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ON(安森美)NA |
8000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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ON(安森美)标准封装 |
8000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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NTMFS4935N图片
NTMFS4935NT1G价格
NTMFS4935NT1G价格:¥1.2970品牌:ON
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NTMFS4935NT1G特价销售全新原装正品晶体管
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NTMFS4935N中文资料Alldatasheet PDF
更多NTMFS4935NBT1G功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 93A 3.2 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4935NBT3G功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 93A 3.2 mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4935NCT1G功能描述:MOSFET TRENCH 3 S08FL, 30V NCH M RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4935NCT3G功能描述:MOSFET N-CH 30V SO8-FL RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTMFS4935NT1G功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4935NT3G功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube