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NTMFS4927NT3G	文件：120.9 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 38 A, Single N?묬hannel, SO?? FL MOSFET–Power,Single,N-Channel,SO-8FL30V,38A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses •Optimizedfor5V,12VGateDrives •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFree	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4927NT3G	文件：115.24 Kbytes Page：7 Pages	Single N?묬hannel Power MOSFET MOSFET–Power,Single,N-Channel,SO-8FL30V,38A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses •Optimizedfor5V,12VGateDrives •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFree	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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Power MOSFET 30 V, 38 A, Single N?묬hannel, SO?? FL

MOSFET–Power,Single,N-Channel,SO-8FL30V,38A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses •Optimizedfor5V,12VGateDrives •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFree

ONSEMION Semiconductor

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Single N?묬hannel Power MOSFET

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详细参数

型号：
NTMFS4927NT3G
功能描述：
MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 Ohm NCH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NTMFS4927NT3G供应商更新时间2025-5-20 16:12:00

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