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NTMFS1D1N04XMT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTMFS1D1N04XMT1G

功能描述

MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 1.05 m, 233 A

丝印标识

1D1N4

封装外壳

SO-8FL

文件大小

131.95 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 20:00:00

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NTMFS1D1N04XMT1G规格书详情

特性 Features

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low Capacitance to Minimize Driver Losses

• Small Footprint (5 x 6 mm) with Compact Design

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Applications

• Motor Drive

• Battery Protection

• ORing

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