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NTMFS0D9N04XLT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTMFS0D9N04XLT1G

功能描述

MOSFET - Power, Single N-Channel, Logic Level, SO8FL 40 V, 0.9 m, 278 A

丝印标识

0D9N4L

封装外壳

DFN5

文件大小

183.14 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-30 23:00:00

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NTMFS0D9N04XLT1G规格书详情

特性 Features

 Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss

 Low QRR with Soft Recovery to Minimize ERR Loss and Voltage

Spike

 Low QG and Capacitance to Minimize Driving and Switching Loss

 These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

Typical Applications

 High Switching Frequency DC−DC Conversion

 Synchronous Rectification

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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