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NTMFS1D1N04XMT1G	文件：131.95 Kbytes Page：6 Pages	Marking：1D1N4；Package：SO-8FL；MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 1.05 m, 233 A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •SmallFootprint(5x6mm)withCompactDesign •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications •MotorDrive •BatteryProtection •ORing	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFWS1D1N04XMT1G	文件：149.14 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,STDGate,SO8FL40V,1.05m,233A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •SmallFootprint(5x6mm)withCompactDesign •AECQ101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant Applications •MotorDrive •B	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTMFS1D1N04XMT1G

文件：131.95 Kbytes

Page：6 Pages

Marking：1D1N4；Package：SO-8FL；MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 1.05 m, 233 A

Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •SmallFootprint(5x6mm)withCompactDesign •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications •MotorDrive •BatteryProtection •ORing

ONSEMION Semiconductor

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NVMFWS1D1N04XMT1G

文件：149.14 Kbytes

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MOSFET-Power,SingleN-Channel,STDGate,SO8FL40V,1.05m,233A

Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •SmallFootprint(5x6mm)withCompactDesign •AECQ101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant Applications •MotorDrive •B

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