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NTMFD4C20N中文资料双 N 沟道，功率 MOSFET，30V数据手册ONSEMI规格书
NTMFD4C20N规格书详情
描述 Description
Dual N-Channel Power MOSFET 30 V, High Side 18 A / Low Side 27 A, Dual
N−Channel SO8FL
特性 Features
• Co−Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space
• Optimized Devices to Reduce Power Losses
• RoHS Compliant
应用 Application
• DC−DC Converters
• System Voltage Rails
• Point of Load
技术参数
- 制造商编号
：NTMFD4C20N
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：2.1
- ID Max (A)
：18.2
- PD Max (W)
：1.88
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1: 10.8
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1: 7.3
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：9.7
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：9.3
- Ciss Typ (pF)
：Q1: 970
- Package Type
：SO-8FL Dual/DFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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onsemi |
2025+ |
DFN-8 |
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询价 |
