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KTC3192	文件：983.74 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features Highpowergain. Applications Highfrequencyamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
KTC3192	文件：630.58 Kbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURE ●HighPowerGain:Gpe=29dB(Typ)(f=10.7MHZ)	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
NTLUS3192PZ	文件：159.09 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET??0V,??.2A,CoolSingleP?묬hannel,ESD,1.6x1.6x0.55mmUDFNPackage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTLUS3192PZTAG	文件：159.09 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET??0V,??.2A,CoolSingleP?묬hannel,ESD,1.6x1.6x0.55mmUDFNPackage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PE3192	文件：107.16 Kbytes Page：1 Pages	CABLEASSEMBLYRG223/U7/16MALETO7/16MALE	PASTERNACKPasternack Enterprises, Inc. 帕斯特纳克	PASTERNACK
SK3192	文件：75.46 Kbytes Page：1 Pages	BipolarTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
NTLUS3192PZTBG
功能描述：
MOSFET PFET WDFN6 20V 3.4A 85 mOhm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NTLUS3192PZTBG供应商更新时间2024-4-29 14:12:00

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