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NTJS3151P

Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P?묬hannel, ESD Protected SC??8

文件:134.19 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS3151P

Trench Power MOSFET

文件:73.5 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS3151P_16

Trench Power MOSFET

文件:73.5 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS3151PT1

Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P?묬hannel, ESD Protected SC??8

文件:134.19 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS3151PT1G

Trench Power MOSFET

文件:73.5 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS3151PT1G

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:1.05716 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTJS3151PT1G

Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P?묬hannel, ESD Protected SC??8

文件:134.19 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS3151PT2

Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P?묬hannel, ESD Protected SC??8

文件:134.19 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS3151PT2G

Trench Power MOSFET

文件:73.5 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS3151PT2G

Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P?묬hannel, ESD Protected SC??8

文件:134.19 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    -12

  • VGS Max (V):

    12

  • ID Max (A):

    2.7

  • PD Max (W):

    0.625

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    67

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    45

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    0.75

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    8.6

  • Ciss Typ (pF):

    850

  • Package Type:

    SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
24+
SOT163
3000
询价
ON/安森美
23+
SOT-363
24190
原装正品代理渠道价格优势
询价
ON/安森美
21+
SOT-363
30000
优势供应 实单必成 可13点增值税
询价
ON
23+
SOT-363-6
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
HAMOS/汉姆
23+
SOT-363-6
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
ON
2021+
SOT-363-6
18000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
ON/安森美
22+
SOT-363
18000
原装正品
询价
ON/安森美
23+
SOT-363
89630
当天发货全新原装现货
询价
ONS
2023+
SOT363
50000
原装现货
询价
ON
24+/25+
12000
原装正品现货库存价优
询价
更多NTJS3151供应商 更新时间2026-3-15 10:01:00