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NTJS3151PT2G	文件：134.19 Kbytes Page：6 Pages	Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P?묬hannel, ESD Protected SC??8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTJS3151PT2G	文件：73.5 Kbytes Page：5 Pages	Trench Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
NTJS3151PT2G
功能描述：
MOSFET 12V 3.3A P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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