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NTJS3151PT2G

Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P?묬hannel, ESD Protected SC??8

文件:134.19 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS3151PT2G

Trench Power MOSFET

文件:73.5 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS3151PT2

Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P?묬hannel, ESD Protected SC??8

文件:134.19 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTJS3157NT1G

SOT23-6

ON Semiconductor

上传:深圳市宇集芯电子有限公司

ON Semiconductor

NTJS4151PT1G

SOT363

ON

详细参数

  • 型号:

    NTJS3151PT2G

  • 功能描述:

    MOSFET 12V 3.3A P-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON(安森美)
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标准封装
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ON Semiconductor
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6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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