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NTHL1000N170M1中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NTHL1000N170M1
厂商型号

NTHL1000N170M1

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, TO-247-3L

文件大小

353.58 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-29 17:50:00

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NTHL1000N170M1规格书详情

Features

 Typ. RDS(on) = 960 m

 Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 14 nC)

 Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 11 pF)

 100 Avalanche Tested

 RoHS Compliant

Typical Applications

 Solar Inverters

 Electric Vehicle Charging Stations

 Electric Storing Systems

 SMPS (Switch Mode Power Supplies)

 UPS (Uninterruptible Power Supplies)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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