NTHL1000N170M1中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	NTHL1000N170M1
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, TO-247-3L
文件大小	353.58 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
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更新时间	2025-10-11 23:00:00
人工找货	NTHL1000N170M1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

 Typ. RDS(on) = 960 m

 Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 14 nC)

 Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 11 pF)

 100 Avalanche Tested

 RoHS Compliant

Typical Applications

 Solar Inverters

 Electric Vehicle Charging Stations

 Electric Storing Systems

 SMPS (Switch Mode Power Supplies)

 UPS (Uninterruptible Power Supplies)

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