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NTHL080N120SC1中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTHL080N120SC1

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L

文件大小

365.42 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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更新时间

2025-10-4 23:00:00

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NTHL080N120SC1规格书详情

特性 Features

• Typ. RDS(on) = 80 m

• Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 56 nC)

• Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 80 pF)

• 100 UIL Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC−DC Converter

• Boost Inverter

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
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24+
TO-247
6000
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
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24+
TO-247
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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标准封装
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标准封装
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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ON(安森美)
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标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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三年内
1983
只做原装正品
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24000
原装正品现货,实单可谈,量大价优
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TO-247-3LD
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