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NTHL1000N170M1	文件：353.58 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, TO-247-3L Features Typ.RDS(on)=960m UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=14nC) LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=11pF) 100AvalancheTested RoHSCompliant TypicalApplications SolarInverters ElectricVehicleChargingStations ElectricStoringSystems SMPS(	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL1000N170M1	文件：415.07 Kbytes Page：4 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·Typ.RDS(on)=960mΩ ·100AvalancheTested ·RoHSCompliant APPLICATIONS ·SolarInverters ·ElectricVehicleChargingStations ·ElectricStoringSystems ·UPS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTBG1000N170M1	文件：374.53 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,960mohm,1700V,M1,D2PAK-7L Features Typ.RDS(on)=960m UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=14nC) LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=11pF) 100AvalancheTested RoHSCompliant TypicalApplications SolarInverters ElectricVehicleChargingStations ElectricStoringSystems SMPS(	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVBG1000N170M1	文件：375.57 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,960mohm,1700V,M1,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=960m@VGS=20V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=14nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=11pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(on	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVHL1000N170M1	文件：354.33 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET-EliteSiC,960mohm,1700V,M1,TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=960m@VGS=20V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=14nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=11pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(on	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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