NTHL080N120SC1A_V01中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	NTHL080N120SC1A_V01
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L
文件大小	363.09 Kbytes
页面数量	7 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
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更新时间	2025-10-10 23:00:00
人工找货	NTHL080N120SC1A_V01价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

• Typ. RDS(on) = 80 m

• Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 56 nC)

• Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 80 pF)

• 100 UIL Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC−DC Converter

• Boost Inverter

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