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NTHL080N120SC1A_V01	文件：363.09 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L Features • Typ. RDS(on) = 80 m • Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 56 nC) • Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 80 pF) • 100 UIL Tested • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typical Applications • U 文件：363.09 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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更多NTHL080N120SC1A_V01供应商更新时间2025-10-4 15:08:00