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NTHL040N120M3S中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTHL040N120M3S

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40 mohm, 1200V, M3S, TO-247-3L

文件大小

228.49 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-28 20:00:00

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NTHL040N120M3S规格书详情

特性 Features

• Typ. RDS(on) = 40 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 75 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 80 pF)

• 100 Avalanche Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• Solar Inverters

• Electric Vehicle Charging Stations

• UPS (Uninterruptible Power Supplies)

• Energy Storage Systems

• SMPS (Switch Mode Power Supplies)

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