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NTHL040N120M3S	文件：228.49 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40 mohm, 1200V, M3S, TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=40m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=75nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=80pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG040N120M3S	文件：335.85 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,40mohm,1200V,M3S,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=40m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(TOT)=75nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(COSS=80pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb−Free2LI(onSecondLevelInterconnection) TypicalA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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更多NTHL040N120M3S供应商更新时间2024-11-28 16:20:00

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