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NTHL030N120M3S中文资料Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTHL030N120M3S

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-29 20:00:00

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NTHL030N120M3S规格书详情

描述 Description

The new family of 1200V M3S planar SiC MOSFETs is optimized for fast switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. This family has optimum performance when driven with 18V gate drive but also works well with 15V gate drive. 

特性 Features

• Excellent FOM [ = Rdson * Eoss ]
• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 107 nC)
• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 106 pF)
• 15V to 18V Gate Drive
• New M3S technology: 29 mohm RDS(ON) with low Eon and Eoff losses
• 100% Avalanche Tested
• Halide Free and RoHS Compliant

应用 Application

• Industrial

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