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NTHL020N120SC1	文件：313.64 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NTHL020N120SC1；Package：TO-247；MOSFET - SiC Power, Single N-Channel 文件：313.64 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHL020N120SC1	文件：303.4 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L Features • Typ. RDS(on) = 20 m • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 203 nC) • Capacitance (Coss = 260 pF) • 100 UIL Tested • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typical Applications • UPS • DC−DC Converter • Boos 文件：303.4 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHL020N120SC1	文件：304.71 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, TO-247-3L Features • Typ. RDS(on) = 20 m • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 203 nC) • Capacitance (Coss = 260 pF) • 100 UIL Tested • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typical Applications • UPS • DC−DC Converter • Boost 文件：304.71 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHL020N120SC1	文件：300 bytes Page：1 Pages	碳化硅（SiC）MOSFET – EliteSiC系列，20 mohm，1200V，M1，TO-247-3L封装 ilicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology thatprovidesuperiorswitching performanceandhigherreliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, system benefits include highest efficiency, faster ope • Max RDS(on) = 35mΩ at Vgs = 20V, Id = 20A\n• Typical RDS(on) = 20mΩ\n• High Speed Switching and Low Capacitance\n• Coss = 260pF\n• 1200V\n• 100% UIL Tested;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHL020N120SC1_V01	文件：303.4 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L Features • Typ. RDS(on) = 20 m • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 203 nC) • Capacitance (Coss = 260 pF) • 100 UIL Tested • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typical Applications • UPS • DC−DC Converter • Boos 文件：303.4 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHL020N120SC1_V02	文件：304.71 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, TO-247-3L Features • Typ. RDS(on) = 20 m • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 203 nC) • Capacitance (Coss = 260 pF) • 100 UIL Tested • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typical Applications • UPS • DC−DC Converter • Boost 文件：304.71 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHL020N120SC1D	文件：313.64 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - SiC Power, Single N-Channel 文件：313.64 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
1200
VGS Max (V)：
25
VGS(th) Max (V)：
4.3
ID Max (A)：
103
PD Max (W)：
535
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
NA
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
NA
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
NA
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
NA
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
NA
Ciss Typ (pF)：
2890
Package Type：
TO-247-3LD

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更多NTHL020N120SC1供应商更新时间2025-10-4 16:12:00

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