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NTHL020N120SC1	文件：303.4 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=203nC) •Capacitance(Coss=260pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •UPS •DC−DCConverter •Boos	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL020N120SC1	文件：304.71 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=203nC) •Capacitance(Coss=260pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •UPS •DC−DCConverter •Boost	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL020N120SC1	文件：313.64 Kbytes Page：7 Pages	Marking：NTHL020N120SC1；Package：TO-247；MOSFET - SiC Power, Single N-Channel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL020N120SC1_V01	文件：303.4 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=203nC) •Capacitance(Coss=260pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •UPS •DC−DCConverter •Boos	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL020N120SC1_V02	文件：304.71 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=203nC) •Capacitance(Coss=260pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •UPS •DC−DCConverter •Boost	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL020N120SC1D	文件：313.64 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - SiC Power, Single N-Channel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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