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NTHL020N120SC1D	文件：313.64 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - SiC Power, Single N-Channel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG020N120SC1	文件：346.77 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,20mohm,1200V,M1,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=220nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=258pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG020N120SC1	文件：349.03 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–20mohm,1200V,M1,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=220nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=258pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG020N120SC1	文件：368.04 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SiliconCarbide,SingleN-Channel,D2PAK7L,1200V,98A,20mOhm	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTC020N120SC1	文件：215.21 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET??N?륝hannel,SiliconCarbide1200V,20m	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL020N120SC1	文件：304.71 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,20mohm,1200V,M1,TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=203nC) •Capacitance(Coss=260pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •UPS •DC−DCConverter •Boost	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL020N120SC1	文件：303.4 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–20mohm,1200V,M1,TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=203nC) •Capacitance(Coss=260pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •UPS •DC−DCConverter •Boos	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL020N120SC1	文件：313.64 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVBG020N120SC1	文件：323.84 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–20mohm,1200V,M1,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=20m •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=220nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=258pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondleve	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVBG020N120SC1	文件：372.95 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SiliconCarbide,SingleN-ChannelD2PAK7L,1200V,98A,20mOhm	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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