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NVBG020N120SC1
厂商型号

NVBG020N120SC1

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L

丝印标识

NVBG020120SC1

封装外壳

D2PAK-7L

文件大小

323.84 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 13:20:00

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NVBG020N120SC1规格书详情

特性 Features

• Typ. RDS(on) = 20 m

• Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 220 nC)

• Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 258 pF)

• 100 Avalanche Tested

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• Automotive On Board Charger

• Automotive DC−DC Converter for EV/HEV

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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