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NTHD3101FT1G

Power MOSFET and Schottky Diode

文件:140.34 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTHD3101FT1

Power MOSFET and Schottky Diode

文件:140.34 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTHL040N65S3F

TO-247

ON/安森美

NTJD4001NT1G

SOT-363

ON/安森美

NTJD4105CT1G

SOT-363

ON/安森美

详细参数

  • 型号:

    NTHD3101FT1G

  • 功能描述:

    MOSFET -20V -4.4A P-Channel w/4.1A Schottky

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON(安森美)
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更多NTHD3101FT1G供应商 更新时间2025-11-20 23:00:00