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NTHS4101PT1G

Power MOSFET -20 V, 6.7 A, P-Channel ChipFET-TM

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ONSEMI

安森美半导体

NTHS4101PT1G

Power MOSFET -20 V, 6.7 A, P-Channel ChipFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTHS4101PT1G

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTR4101PT1

Trench Power MOSFET -20 V, Single P-Channel, SOT-23

Features • Leading −20 V Trench for Low RDS(on) • −1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive • SOT−23 Surface Mount for Small Footprint • Pb−Free Package is Available Applications • Load/Power Management for Portables • Load/Power Management for Computing • Charging Circuits and Battery Prote

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ONSEMI

安森美半导体

NTR4101PT1

Trench Power MOSFET ??0 V, Single P?묬hannel, SOT??3

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ONSEMI

安森美半导体

NTR4101PT1G

Trench Power MOSFET -20 V, Single P-Channel, SOT-23

Features • Leading −20 V Trench for Low RDS(on) • −1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive • SOT−23 Surface Mount for Small Footprint • Pb−Free Package is Available Applications • Load/Power Management for Portables • Load/Power Management for Computing • Charging Circuits and Battery Prote

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ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTHS4101PT1G

  • 功能描述:

    MOSFET -20V -6.7A P-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSEMI/安森美
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标准
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ONSEMI/安森美原装特价NTHS4101PT1G即刻询购立享优惠#长期有货
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