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NTHD3100CT1G

Power MOSFET 20 V, 3.9 A /??.4 A, Complementary ChipFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTHD3100CT1

PowerMOSFET20V,3.9A/??.4A,ComplementaryChipFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

  • 型号:

    NTHD3100CT1G

  • 功能描述:

    MOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTHD3100CT1G供应商 更新时间2025-7-13 14:13:00